초고성능·초저전력·초슬림 설계로 UFS 4.1 성능 한계 돌파
"세계 최고층 321단 낸드 포트폴리오로,'풀스택 AI 메모리 프로바이더' 입지 강화"
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▲UFS 4.1_BK.(사진=SK하이닉스) |
SK하이닉스는 “모바일 기기에서 온디바이스 AI 기능이 확산되는 가운데, 연산 성능과 배터리 효율 간의 균형이 무엇보다 중요해지고 있다”며 “이번 신제품은 이러한 기술 트렌드에 대응해 초고성능, 초저전력, 초슬림 설계를 모두 갖췄다”고 강조했다.
회사에 따르면 이번 제품은 기존 238단 낸드 기반 제품 대비 전력 효율을 7% 향상시켰고, 두께도 1mm에서 0.85mm로 줄여 초슬림 스마트폰에도 적합하게 설계됐다. 성능 면에서는 순차 읽기 속도 최대 4300MB/s를 지원하며, 랜덤 읽기와 쓰기 속도는 각각 15%, 40% 개선돼 현존하는 UFS 4.1 제품 가운데 최고 수준의 성능을 자랑한다.
이로써 대규모 연산이 필요한 온디바이스 AI 환경에서 데이터를 지연 없이 공급하고, 앱 실행 속도 및 반응성 향상에도 크게 기여할 것으로 기대된다.
이번 UFS 4.1 솔루션은 512GB와 1TB 두 가지 용량으로 출시되며, 연내 고객사 인증을 거쳐 2026년 1분기부터 양산에 들어갈 계획이다.
SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO)은 “이번 제품 출시를 필두로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 SSD 제품도 연내 개발을 완료할 계획이다”며, “이를 통해 낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해, ‘풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 입지를 굳건히 하겠다”고 말했다.
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