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| ▲SK하이닉스 권언오 부사장 |
권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 그는 공로를 인정받아 지난해 SK그룹 내 가장 권위 있는 상인 ‘SUPEX추구상’을 수상했다.
올해 권 부사장은 기술 역량을 토대로 SK하이닉스 HBM의 기술 로드맵을 완성하는 중책을 맡았다. 그는 뉴스룸 사내인터뷰를 통해 “SK하이닉스의 HBM 제품에 대한 모두의 기대가 큰 시점에 중책을 맡게 돼 자부심과 동시에 큰 책임감을 느낀다”며 “세계 최고의 HBM을 개발한 우리 구성원들의 경험과 도전 정신을 바탕으로 차세대 기술 혁신을 이뤄내도록 최선을 다하겠다”고 포부를 밝혔다.
회사는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이고자 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 ‘HBM Business’ 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다.
권언오 부사장은 HBM Business 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 것이다.
권 부사장은 자신의 경력 중 가장 의미 있는 성과로 LPDDR에 HKMG 공정을 도입한 사례를 꼽았다. HKMG는 반도체 요소 기술의 대표적인 혁신 사례 중 하나다. HKMG 공정은 시스템 반도체에는 더 일찍 적용되었지만, 메모리 반도체 중에서도 누설 전류를 제어해 전력 소모를 최소화해야 하는 모바일용 D램에서는 구현되기가 쉽지 않았다.
그는 과거 글로벌 빅테크 기업에서 시스템 반도체에 HKMG 공정을 성공적으로 적용한 경험을 살려 모바일용 D램에서의 기술 장벽을 돌파해냈다. 권 부사장은 “메모리 회로 구조의 패러다임을 바꾼 기술적 성과를 하이닉스 구성원들과 함께 만들어냈다는 데 큰 의미가 있다”고 밝혔다.
또한, “HBM은 어렵고 복잡한 선행 기술의 제품으로, 가장 기술집약적인 D램이라 할 수 있다”며, “시스템 반도체에서 메모리 반도체로의 도전을 감행하게 된 계기도 바로 HBM이라는 제품 때문이었다”고 덧붙였다. 시스템과 메모리의 융합을 촉발시킨 HBM에 매료되었던 권 부사장은 이제 본격적으로 또 한번의 기술 혁신을 위해 자신의 역량을 집중계획으로 “제가 쌓아온 경험이 SK하이닉스의 HBM 기술력에 더 큰 시너지를 만들 수 있도록 최선을 다하겠다”고 피력했다.
권 부사장은 향후 HBM 시장에 대해 “고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것”이라고 예측했다. 그리고 이를 위해 그는 차세대 HBM은 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 역설했다.
아울러,단순히 변화를 받아들이는 것을 넘어 시야를 넓히고 적극적으로 도전하는 자세가 중요하다는 확고한 소신을 밝혔다.
끝으로, 권 부사장은 구성원들에게 AI 시대의 변화를 끌어간다는 자부심을 가질 것을 당부하면서 “모든 구성원이 AI 시대의 주역이며 저 역시 그러한 자부심과 책임감을 갖고 HBM 기술력을 높여 가겠다”고 각오를 다졌다.
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